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Si(111)基片上Mg2Si薄膜的脈沖激光沉積
本文采用PLD技術,在Si(111) 基片上制備Mg2Si薄膜,研究PLD工藝參數對Mg2Si薄膜制備的影響,通過工藝優化制備得到純相、結構均勻、表面平整的Mg2Si薄膜。
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NaCl結構VC薄膜生長過程中原子遷移的第一性原理研究
本文采用第一原理計算的方法研究了C和V原子在NaCl 結構VC 表面和晶體內部(111) 面上的遷移條件,并在此基礎上討論了工藝參數對薄膜生長的影響。
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有機溶劑對氧化鉍納米結構形貌和場發射性能的影響
為了研究有機溶劑對化學合成法中生成的氧化鉍納米材料結構及場發射性能的影響,反應過程中,分別添加三個不同劑量的有機溶劑,獲得三種產物。利用掃描電鏡對其結構進行分析,并進行場發射性能測試。
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氧化處理TiNi合金薄膜的摩擦性能及其對滾動直線導軌滾道的防護
本文采用兩種不同氧化工藝實現TiNi 薄膜的氧化處理。利用球-盤式摩擦實驗機考察了干摩擦條件下表面氧化處理后TiNi 薄膜的摩擦學性能,并鍍制到導軌表面,期望提高導軌的減摩耐磨性能,從而提高其傳動和定位精度。
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脈沖偏壓對離子束輔助電弧離子鍍TiN/Cu納米復合膜結構及硬度的影響
本文采用離子束輔助電弧離子鍍技術在高速鋼(HSS) 基體上沉積TiN/Cu納米復合膜,研究基體脈沖偏壓幅值對TiN/Cu納米復合膜的成分、結構及硬度的影響。
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基體放置狀態與脈沖偏壓幅值對大顆粒形貌和分布的影響
本文通過改變基體上施加的脈沖偏壓幅值、靶基面相對位置和基體的放置狀態,來研究這些參數對電弧離子鍍中大顆粒缺陷數目和分布的影響規律,為選擇合適的靶基表面相對位置和脈沖偏壓幅值,減少甚至消除大顆粒引起薄膜
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