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(TiAlNb)N多組元硬質(zhì)反應(yīng)膜研究

采用多弧離子鍍技術(shù)，通過采用Ti-Al 合金靶及Ti-Nb靶的組合方式，在高速鋼基體上制備了(TiAlNb) N多組元硬質(zhì)反應(yīng)膜。

類金剛石碳膜高溫摩擦學(xué)性能的研究進展

本文綜述了近年來國內(nèi)外高溫工況條件下類金剛石碳膜的摩擦學(xué)性能研究成果，總結(jié)了類金剛石碳膜在高溫環(huán)境下的摩擦學(xué)性能及其影響因素規(guī)律，闡述了類金剛石碳膜高溫摩擦學(xué)行為的分析方法，提出了類金剛石碳膜高溫摩擦

高砷粗鉛真空蒸餾脫除砷的研究

采用鼓風(fēng)爐熔煉高砷粗鉛為原料，對其真空蒸餾脫除砷進行理論分析和實驗研究，考察蒸餾溫度、恒溫時間對砷脫除率、金屬鉛直收率的影響。

基于負偏壓收集極的絕緣體二次電子發(fā)射系數(shù)測量

通過給收集極設(shè)定負偏壓，本文提出了一種新的電荷中和方法，有效地中和了在測量過程中累積在樣品表面的電荷。

輝弧共濺射Ar/N2流量比對TiN薄膜結(jié)構(gòu)及硬度的影響

本文在固定其它工藝參數(shù)的基礎(chǔ)上研究了Ar/N2流量比對TiN 薄膜結(jié)構(gòu)及硬度的影響。

硅熱法煉鎂用白云石球團制備及煅燒工藝研究

本文根據(jù)白云石礦的物性特點，提出將白云石礦先造球，后煅燒，最后進行熱還原得到金屬Mg。

低溫等離子體輔助脈沖直流磁控濺射制備TiN薄膜

采用一種新型的等離子體輔助脈沖直流磁控濺射濺射沉積方法，在低溫狀態(tài)下制備了氮化鈦薄膜，并對氮化鈦薄膜進行了表征，研究了等離子體源在薄膜制備過程中的作用。

Si3N4球/DLC膜摩擦副在真空環(huán)境下的摩擦學(xué)行為研究

本文研究了真空環(huán)境下DLC膜與Si3N4摩擦副的摩擦學(xué)行為，分析探討DLC膜摩擦副在真空環(huán)境下的摩擦磨損機理，為DLC膜在真空環(huán)境下的應(yīng)用提供理論依據(jù)。

(Ti，Al，Si，C)N硬質(zhì)膜層高溫性能研究

采用等離子增強電弧離子鍍聯(lián)合磁控濺射工藝制備了含35%(原子比)C的(Ti，Al，Si，C)N硬質(zhì)膜層，并利用掃描電鏡、X射線衍射儀及高溫摩擦磨損試驗儀表征了膜層在不同退火條件下的性能及組織演變行為。

板栗真空破殼工藝的研究與熱力學(xué)分析

板栗脫殼歷來是板栗加工的技術(shù)難題，本文介紹了板栗在真空中破殼的機理的研究現(xiàn)狀。根據(jù)板栗的幾何尺寸和物理參數(shù)，用ANSYS 軟件建立了板栗的有限元分析模型。

硼鎂石真空鋁熱還原提鎂實驗研究

本研究采用真空鋁熱還原法，從硼鎂石中提鎂。基于作者前期針對硼鎂石原料煅燒條件對氧化鎂還原率影響的初步研究結(jié)果，本文將著重分析還原階段不同條件對還原過程的影響。

基于SolidWorks真空開關(guān)觸頭的參數(shù)化設(shè)計

本文以三維造型軟件SolidWorks為開發(fā)平臺，以VB為二次開發(fā)工具，利用參數(shù)化系統(tǒng)建模法，對真空開關(guān)電極觸頭的進行參數(shù)化分析，并設(shè)計了其參數(shù)化系統(tǒng)。

銀基透明導(dǎo)電薄膜制備及其性能研究

本文采用磁控濺射沉積，通過優(yōu)化Ag層與上下介質(zhì)層膜厚，獲得了ZnO/Ag/ZnO、AZO/Ag/AZO 體系的三層透明導(dǎo)電薄膜，并且在Ag與氧化物界面插入超薄LiF或Al來探究該體系多層膜的熱穩(wěn)定性。

TC4鈦合金低壓真空滲氮處理

熱處理對Co-Cr-Ta合金靶材磁性能的影響

本文從改善靶材的制備工藝，提高靶材表面漏磁率出發(fā)，結(jié)合Co-Cr-Ta合金的差示掃描量熱法曲線，采用不同的熱處理制度對Co-Cr-Ta合金進行了熱處理。

退火對Al-Al2O3-Ti/Au金屬-絕緣體-金屬電子源發(fā)射特性的影響

本文通過對Al-Al2O3-Ti/Au結(jié)構(gòu)的MIM器件Ti/Au頂電極和Al底電極進行不同溫度的退火處理，研究退火工藝對器件電子發(fā)射特性的影響。

射頻磁控濺射法沉積SiC-Al薄膜的摩擦特性

通過使用雙靶位磁控濺射設(shè)備在Ti-6Al-4V合金上沉積了SiC-Al 薄膜，著重研究了Al原子的濃度對SiC-Al薄膜的摩擦系數(shù)的影響以及Al中間層對界面強度的影響。

應(yīng)用于TGV的ICP玻璃刻蝕工藝研究

本文通過正交實驗設(shè)計方法，研究ICP石英玻璃刻蝕工藝中工作壓強、C4F8流量、Ar流量三個工藝參數(shù)對深孔刻蝕的影響，探索提高刻蝕速率的優(yōu)化組合。

直流磁控濺射中矩形平面靶刻蝕形貌的數(shù)值計算及優(yōu)化

本文通過在基片和靶材間加正向電場，改變了電子的運動軌跡和空間分布，優(yōu)化了矩形平面靶的刻蝕形貌，提高了靶材利用率。

真空絕熱板導(dǎo)熱系數(shù)快速測量方法的研究

本文以傳統(tǒng)的大平板熱保護法測量絕熱材料為理論基礎(chǔ)，致力于研究出一種新型的基于埋入式熱流計法快速測量VIP 導(dǎo)熱系數(shù)的方法。