真空應(yīng)用
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孔隙變化對(duì)吹填土地基真空預(yù)壓固結(jié)的影響
本文通過研究真空荷載作用下吹填土的變形、滲流特性,在巴隆軸對(duì)稱固結(jié)理論基礎(chǔ)上,建立考慮固結(jié)參數(shù)隨孔隙比變化而變化的吹填土真空預(yù)壓固結(jié)計(jì)算模型,并通過室內(nèi)模型試驗(yàn)證明該模型的合理性。
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吹填超軟土淺層真空預(yù)壓加固處理前后的固結(jié)特性
本文結(jié)合天津臨港工業(yè)區(qū)吹填場地,考慮真空預(yù)壓法地基加固方法中徑向排水固結(jié)占重要地位,開展“淺層加固處理”后吹填土的豎向和徑向固結(jié)特性分析,同時(shí)探討超軟土固結(jié)系數(shù)隨固結(jié)荷載的變化規(guī)律。
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雙向非一致混合型真空直流斷路器的分析與設(shè)計(jì)
針對(duì)現(xiàn)代艦船直流電力系統(tǒng)交流整流發(fā)電機(jī)保護(hù)面臨的斷路器發(fā)電機(jī)側(cè)短路時(shí)需瞬時(shí)分?jǐn)喔呱仙识搪冯娏鳎约皵嗦菲麟娋W(wǎng)側(cè)短路時(shí)需短延時(shí)后分?jǐn)喽搪冯娏鞯囊蟛煌@一問題,提出了一種雙向非一致混合型真空直流斷路器
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新型真空直流限流斷路器設(shè)計(jì)及其介質(zhì)恢復(fù)特性
針對(duì)傳統(tǒng)強(qiáng)迫換流型斷路器在關(guān)斷高上升率短路電流時(shí)遇到的問題,本文提出了在高速真空開關(guān)兩端反向并聯(lián)續(xù)流二極管,并在小間隙下開斷短路電流的改進(jìn)方案。
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優(yōu)化的永磁真空斷路器合閘控制方法
本文以12kV單穩(wěn)態(tài)真空斷路器合閘為例,分析了合閘時(shí)的線圈電流波形,通過曲線擬合的方法,給出了合閘的電流方程,并通過變電壓變輸出能量的方法,對(duì)動(dòng)觸頭運(yùn)動(dòng)特性進(jìn)行優(yōu)化。
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高壓真空斷路器機(jī)械狀態(tài)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)研制
介紹了一種高壓真空斷路器機(jī)械狀態(tài)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)。該監(jiān)測(cè)系統(tǒng)綜合了以往的監(jiān)測(cè)技術(shù),保證了對(duì)斷路器機(jī)械狀態(tài)監(jiān)測(cè)的全面性。
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中壓真空斷路器狀態(tài)的雷達(dá)圖法評(píng)估模型
為全面、直觀地對(duì)中壓真空斷路器的健康狀態(tài)進(jìn)行評(píng)估,本文論述表征斷路器健康狀態(tài)的研究成果,并兼顧全面、可測(cè)原則建立了狀態(tài)評(píng)估指標(biāo)體系。
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真空熱解松木粉制備生物油
本文以松木粉為原料,對(duì)生物質(zhì)真空熱解工藝條件進(jìn)行了探索,并對(duì)最優(yōu)條件下真空熱解得到的氣液相產(chǎn)物進(jìn)行了分析與討論。
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基于線圈電流的永磁真空斷路器控制方法
本文提出了一種以永磁機(jī)構(gòu)線圈電流為控制對(duì)象,通過改進(jìn)型的滯環(huán)控制算法對(duì)永磁真空斷路器的參考線圈電流進(jìn)行跟蹤控制的方法。
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真空變壓吸附提濃煤礦乏風(fēng)瓦斯的抽真空排放過程
建立了三塔真空變壓吸附分離實(shí)驗(yàn)臺(tái),采用活性炭作為吸附劑,研究了抽排步驟對(duì)吸附分離效果的影響,并分析了影響抽排過程的因素,為煤礦乏風(fēng)瓦斯提濃與利用提供了技術(shù)基礎(chǔ)。
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脈動(dòng)真空壓力滅菌器的B-D測(cè)試研究
本文通過日常B-D測(cè)試監(jiān)控的數(shù)據(jù)結(jié)果,分析了B-D測(cè)試陽性結(jié)果產(chǎn)生的原因,其中假陽性結(jié)果比較多,脈動(dòng)真空壓力滅菌器通常是性能優(yōu)良的。
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礦井隔爆型真空饋電開關(guān)斷電報(bào)警裝置的設(shè)計(jì)應(yīng)用
本文提出了為礦用隔爆型真空饋電開關(guān)加裝斷電報(bào)警裝置,并對(duì)報(bào)警裝置的硬件進(jìn)行了總體優(yōu)化設(shè)計(jì)。經(jīng)實(shí)際使用,該系統(tǒng)故障率低、靈活性強(qiáng)、控制精度高,具有良好的現(xiàn)場應(yīng)用效果。
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微波等離子體化學(xué)氣相沉積超納米晶金剛石膜研究
超納米晶金剛石(UNCD)在短毫米波特別是太赫茲真空器件輸能窗中具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。本文介紹了UNCD膜的制備工藝和性能表征。
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新型Al組分漸變結(jié)構(gòu)的N極性GaN基HEMT中二維電子氣研究
提出了一種含有AlN插入層的新型Al組分漸變的N極性GaN基高電子遷移率晶體管 結(jié)構(gòu),并通過自洽求解一維薛定諤方程和泊松方程,仿真研究了該新型N極性HEMT結(jié)構(gòu)的二維電子氣特性。
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納米CuO/CNT復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備及其場發(fā)射性能研究
本實(shí)驗(yàn)采用濕化學(xué)法制備CuO/CNTs納米復(fù)合材料,具有制備溫度低,工藝簡單,成本低廉等優(yōu)點(diǎn)。
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多層HfO2/Al2O3薄膜基電荷陷阱存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)特性研究
本文利用多層HfO2/Al2O3薄膜作為存儲(chǔ)層,借助脈沖激光和原子層沉積系統(tǒng)制備電荷陷阱存儲(chǔ)器件,并對(duì)器件的存儲(chǔ)特性進(jìn)行了系統(tǒng)分析。
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