真空應(yīng)用
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醫(yī)用鍛造CoCrMo合金高溫滲碳性能研究
文章采用高溫氣體滲碳技術(shù),對(duì)醫(yī)用鍛造鈷鉻鉬合金進(jìn)行高溫滲碳處理,對(duì)其滲碳前后的組織結(jié)構(gòu)、摩擦性能及潤(rùn)濕性能進(jìn)行分析。
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液態(tài)金屬離子源在航天器電位主動(dòng)控制的應(yīng)用
著重介紹了液態(tài)金屬離子源型電位主動(dòng)控制在低密度等離子體空間測(cè)量中的典型應(yīng)用,對(duì)以后的空間環(huán)境探測(cè)中自主研發(fā)液態(tài)金屬離子源主動(dòng)控制裝置以及航天器設(shè)計(jì)提供借鑒和依據(jù)。
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航天薄膜材料力學(xué)性能評(píng)價(jià)及誤差分析研究
通過(guò)理論分析與試驗(yàn)研究,從薄膜材料、樣品加工、拉伸試驗(yàn)及模擬試驗(yàn)四個(gè)角度,對(duì)空間環(huán)境下薄膜材料力學(xué)性能退化試驗(yàn)的誤差來(lái)源及影響進(jìn)行了研究。
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電場(chǎng)儀球形傳感器涂覆方案研究
電場(chǎng)儀涂層的均勻性是影響其電場(chǎng)測(cè)量精度的重要因素,手工噴涂方案難以滿足涂層的均勻性需求,且工藝不穩(wěn)定。為解決電場(chǎng)儀球形傳感器涂層噴涂的均勻性問(wèn)題,提出了一種新的噴涂方案。
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微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)法在碳纖維上制備碳納米管
利用微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)法在碳纖維上制備了碳納米管,并在此基礎(chǔ)上系統(tǒng)地研究了微波功率、反應(yīng)時(shí)間、催化劑前驅(qū)體的吸附時(shí)間以及吸附濃度對(duì)碳納米管生長(zhǎng)的影響。
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內(nèi)熱式多級(jí)連續(xù)真空爐爐溫均勻性的測(cè)定及改善
本文根據(jù)有限元法分析真空爐溫場(chǎng)分布規(guī)律,對(duì)內(nèi)熱式多級(jí)連續(xù)真空爐冷凝罩內(nèi)物料分離段安裝雙鉑銠高溫?zé)犭娕紲y(cè)量爐內(nèi)溫度。
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MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)及金剛石膜材料在微波電真空器件中的應(yīng)用
本文將首先簡(jiǎn)述MPCVD方法沉積金剛石膜的原理,進(jìn)而介紹國(guó)內(nèi)外MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀以及MPCVD方法在制備高品質(zhì)金剛石膜材料方面的應(yīng)用情況。
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工程型高溫度梯度單晶爐研制
介紹了新型工程型高溫度梯度單晶爐研制開(kāi)發(fā)的項(xiàng)目背景,主要研發(fā)內(nèi)容及技術(shù)指標(biāo),創(chuàng)新性和達(dá)到的技術(shù)水平,產(chǎn)品采標(biāo),應(yīng)用領(lǐng)域及應(yīng)用情況,產(chǎn)品經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益情況。
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TiO2薄膜光電導(dǎo)與光催化性能關(guān)系的研究
采用溶膠-凝膠法在石英基板上旋涂制備不同系列的TiO2薄膜樣品(摻F濃度、保溫時(shí)間、薄膜厚度、晶型) ,并用X射線衍射等分析測(cè)試手段對(duì)樣品的結(jié)構(gòu)等性能進(jìn)行表征。
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無(wú)硫化過(guò)程磁控濺射制備Cu2ZnSnS4薄膜及其結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)研究
使用Cu2ZnSnS4(CZTS) 靶材,通過(guò)射頻磁控濺射方法鍍膜,不經(jīng)后期硫化處理,在鈉鈣玻璃襯底上沉積了鋅黃錫礦結(jié)構(gòu)的CZTS薄膜材料。
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溶膠-凝膠法制備柱狀TiO2薄膜及其光催化性能研究
在石英基板上用溶膠-凝膠法旋涂制備單層厚度約為20 nm 的柱狀晶形貌TiO2薄膜,并研究了退火溫度對(duì)TiO2薄膜晶體結(jié)構(gòu)、微觀形貌、光催化活性能的影響規(guī)律。
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PLD制備CuAlO2薄膜的結(jié)構(gòu)與性能研究
本文以致密的CuAlO2陶瓷為靶材,采用脈沖激光沉積技術(shù)在藍(lán)寶石和石英襯底上制備CuAlO2薄膜,并對(duì)樣品進(jìn)行退火處理,研究退火條件對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響。
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氫化處理對(duì)Li-W共摻雜ZnO薄膜性能的影響
本論文主要通過(guò)對(duì)比討論了Li-W 共摻雜( LWZO) 薄膜及LWZO:H 薄膜的結(jié)晶性能、表面形貌、光學(xué)性能的影響以及分析了氫化處理對(duì)LWZO薄膜的摻雜效率的影響。
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