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真空應(yīng)用

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推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來(lái)源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過(guò)程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

熱處理對(duì)水霧化Fe74Cr2Mo2Sn2P10C2Si4B4非晶磁粉芯性能的影響

采用水霧化Fe74Cr2Mo2Sn2P10C2Si4B4非晶磁粉制備出了高頻特性較好的磁粉芯。研究了去應(yīng)力退火和磁場(chǎng)退火對(duì)磁粉芯磁性能的影響。
鈾表面非平衡磁控濺射離子鍍Ti基薄膜的組織結(jié)構(gòu)與腐蝕性能

金屬鈾的化學(xué)性質(zhì)十分活潑,極易發(fā)生氧化腐蝕。本文采用磁過(guò)濾多弧離子鍍?cè)诮饘兮櫛砻嬷苽銽i過(guò)渡層,然后采用非平衡磁控濺射離子鍍技術(shù)制備了Ti、TiN單層膜及Ti/TiN多層薄膜,以期改善基體的抗腐蝕性能。
雙間隙諧振腔耦合縫調(diào)諧結(jié)構(gòu)的分析與模擬

軟件模擬與理論分析結(jié)果一致,驗(yàn)證了該調(diào)諧結(jié)構(gòu)的有效性,為多間隙耦合腔高頻電路的研制和進(jìn)一步展寬速調(diào)管輸出帶寬具有重要的參考意義
時(shí)變等離子體覆蓋導(dǎo)體圓柱的雙站散射特性分析

研究時(shí)變等離子體覆蓋導(dǎo)體圓柱的雙站散射特性對(duì)等離子體隱身技術(shù)和太空再入體的跟蹤識(shí)別技術(shù)具有重要的意義。
溶膠凝膠法制備Cu摻雜ZnO納米薄膜及其表征

采用溶膠-凝膠法制備了不同Cu摻雜濃度的ZnO薄膜,并通過(guò)X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡、紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)和伏安特性測(cè)試等研究了Cu摻雜量對(duì)薄膜微觀結(jié)構(gòu)、表面形貌及光電特性的影響。
脈沖激光沉積法制備立方焦綠石結(jié)構(gòu)的Bi1.5ZnNb1.5O7薄膜

采用固相反應(yīng)法合成具有焦綠石立方結(jié)構(gòu)的Bi1.5ZnNb1.5O7(BZN)陶瓷靶材,采用脈沖激光沉積法在Pt/SiO2/Si(100)基片制備立方BZN薄膜。研究了隨襯底溫度的變化,薄膜的結(jié)晶性能,微觀形貌以及介電性能的差異。
基于溶膠凝膠法的二氧化錫復(fù)合薄膜的制備及表征

以金屬無(wú)機(jī)鹽SnCl2.2H2O、CuCl2.2H2O和無(wú)水乙醇為原料,用溶膠凝膠法制備了SnO2和CuO摻雜的CuO-SnO2薄膜,并用X射線衍射、掃描電鏡、透射電鏡和電化學(xué)工作站對(duì)樣品進(jìn)行了表征。
基于差異進(jìn)化算法的橢偏測(cè)量數(shù)據(jù)反演

為解決橢偏法測(cè)量薄膜厚度和折射率實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)處理較為復(fù)雜的問(wèn)題,采用一種新的基于群體智能的優(yōu)化算法—差異進(jìn)化算法處理實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù);以單層吸收薄膜的測(cè)量為例,利用該算法進(jìn)行數(shù)據(jù)處理,
SiO2/聚酰亞胺/SiO2復(fù)合薄膜絕緣性能及基于聚酰亞胺復(fù)合薄膜的后柵型場(chǎng)致發(fā)射性能的研

使用射頻磁控濺射和化學(xué)溶液法制備了SiO2/聚酰亞胺(PI)/SiO2絕緣膜。分別使用X射線衍射、掃描電鏡對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)和薄膜表面形貌進(jìn)行了表征
p型微晶硅膜的研究及其在異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池中的應(yīng)用

首先采用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備了電導(dǎo)率為0.13 S/cm、晶化率為50%的p型微晶硅,然后制備了μc-Si∶H(p)/c-Si(n)異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池。
In0.14Ga0.86As/GaAs(4×3)表面的RHEED及STM分析

以在UHV/MBE-STM聯(lián)合系統(tǒng)上生長(zhǎng)的19ML的InGaAs/GaAs樣品為研究對(duì)象,先在GaAs(001)襯底上外延生長(zhǎng)0.37μm的GaAs緩沖層,再外延生長(zhǎng)19ML的InGaAs,通過(guò)樣品生長(zhǎng)速率大致確定其組分為In0.14Ga0.86As
Ka波段TE01�；匦胁ü軐拵л斎腭詈掀鞯脑O(shè)計(jì)

Ka波段TE01�；匦胁ü艿妮斎腭詈掀鲗⒕匦尾▽�(dǎo)中輸入的TE10模轉(zhuǎn)化為圓波導(dǎo)中TE01模的行波場(chǎng),以實(shí)現(xiàn)對(duì)回旋電子注角向速度的調(diào)制。
真空滅弧室與SF6滅弧室串聯(lián)的混合斷路器開(kāi)斷容量增益特性分析

基于真空和SF6氣體兩種不同滅弧介質(zhì)的滅弧特點(diǎn),分析真空滅弧室與SF6滅弧室串聯(lián)組成的混合斷路器可獲得更大開(kāi)斷能力的機(jī)理。
H2O+O2氣氛下電子束蒸鍍制備MgO介質(zhì)保護(hù)膜特性研究

采用電子束蒸鍍法在H2O+ O2氣氛下制備了MgO介質(zhì)保護(hù)膜,通過(guò)掃描電鏡、X射線衍射(XRD)等方法分析了MgO薄膜的表面、截面形貌與晶體結(jié)構(gòu),研究了不同H2O流量下得到的MgO薄膜對(duì)等離子屏放電特性的影響。
新型前柵場(chǎng)發(fā)射器件的研究

采用刻蝕型介質(zhì)制作前柵場(chǎng)發(fā)射器件。該器件中陰柵結(jié)構(gòu)的形成是利用刻蝕工藝刻蝕介質(zhì)層,一次性實(shí)現(xiàn)柵孔和陰極電極的連通,最后利用電泳沉積工藝轉(zhuǎn)移碳納米管制備成陰極發(fā)射點(diǎn)陣。
后柵結(jié)構(gòu)SnO2場(chǎng)致發(fā)射顯示器件的研制

采用高溫氣相法生長(zhǎng)SnO2納米線,掃描電子顯微鏡和X射線衍射儀分析表明所生長(zhǎng)的SnO2納米線大小均勻,直徑約為150 nm,長(zhǎng)可達(dá)10μm。
真空碳熱還原法煉鋁的研究進(jìn)展

綜述了目前氧化鋁碳熱還原法及碳熱還原- 鹵化法煉鋁的研究進(jìn)展, 重點(diǎn)總結(jié)了上述煉鋁法的機(jī)理及研究現(xiàn)狀,討論了金屬鋁的制備方法及其影響因素, 并指出了制約上述各煉鋁法金屬鋁直收率提高的影響因素。
變壓器真空干燥方法研究

本文以變壓器干燥為例，簡(jiǎn)要描述了在變壓器真空干燥過(guò)程中的方法，并進(jìn)一步闡述了“循環(huán)壓力法”對(duì)變壓器進(jìn)行真空干燥處理的原理、所需的設(shè)備及真空干燥真正結(jié)束的判斷依據(jù)和判斷方法。
無(wú)極燈啟動(dòng)特性研究

為了研究提高無(wú)極燈光效的方法, 本文測(cè)量了無(wú)極燈啟動(dòng)階段的電參數(shù)和發(fā)射光譜, 分析了點(diǎn)燈后阻抗、Hg原子光譜強(qiáng)度、Ar 原子光譜強(qiáng)度、等離子體參數(shù)和放電模式隨時(shí)間的變化規(guī)律。
食品真空冷凍干燥工藝的研究

基于真空冷凍干燥產(chǎn)品的市場(chǎng)現(xiàn)狀扼要分析了真空冷凍干燥技術(shù)在食品應(yīng)用中的注意問(wèn)題。