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真空技術(shù)網(wǎng) - 專業(yè)研究真空、真空技術(shù)及真空泵等真空設(shè)備的真空網(wǎng)。

推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來(lái)源主要有3個(gè)方面:鍍前處理、電鍍過(guò)程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法:生化法、微波化學(xué)法和物化法。

  • PDP低灰度級(jí)圖像反伽馬校正色彩還原方法

    為了解決等離子體顯示器(PDP)反伽馬校正中低灰度級(jí)增強(qiáng)引起的色彩失真和偏移,提出了一種低灰度級(jí)圖像色彩還原方法。

  • 傳輸法模擬濾波器型輸出回路的間隙阻抗頻率特性

    利用傳輸法把濾波器型輸出回路等效為雙端口微波網(wǎng)絡(luò)問(wèn)題,通過(guò)理論分析,數(shù)值模擬和冷測(cè)實(shí)驗(yàn)證明了S21平方后的曲線能定性反映濾波器型輸出回路的間隙阻抗頻率特性。

  • 改進(jìn)的AlGaN/GaN HEMT小信號(hào)參數(shù)提取算法

    制作了截止頻率ft和最高震蕩頻率fmax分別為46.2和107.8 GHz的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管,并針對(duì)該器件建立了包含微分電阻Rfd和Rfs在內(nèi)的18元件小信號(hào)等效電路模型;在傳統(tǒng)的冷場(chǎng)條件提取器件寄生參數(shù)的基礎(chǔ)上,通過(guò)

  • 表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射顯示器件制備工藝研究

    介紹了表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射顯示器件陰極基板和陽(yáng)極基板的制備方法及其詳細(xì)的真空封接工藝。

  • 帶狀注矩形截面Cerenkov脈塞中注波互作用的研究

    建立了帶狀注矩形截面Cerenkov脈塞中注波互作用的三維物理模型。采用保留金屬格柵槽區(qū)內(nèi)高次模式的方法,將電磁場(chǎng)表示為本征模級(jí)數(shù)和的形式,運(yùn)用Borgnis函數(shù)法和場(chǎng)匹配法推導(dǎo)了注波互作用結(jié)構(gòu)的混合模色散方程。

  • 基于C-W復(fù)合膜/無(wú)定形碳納米島的表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射陰極

    介紹了基于C-W復(fù)合膜/無(wú)定形碳納米島的表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射陰極,并對(duì)其制備工藝和發(fā)射性能進(jìn)行討論。

  • 廢鋁合金真空蒸餾脫鋅的研究

    首先分析了用真空蒸餾的方法脫除廢鋁合金中金屬Zn的可行性。對(duì)二種含Zn質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%,12.25%的廢鋁合金進(jìn)行了真空蒸餾脫除鋅的實(shí)驗(yàn)。

  • 紅土鎳礦真空碳熱還原過(guò)程中硅的揮發(fā)行為

    為了解紅土鎳礦在真空碳熱還原過(guò)程中SiO2的還原特性和還原過(guò)程的主要影響因素,在系統(tǒng)壓力2~200 Pa下,以分析純的SiO2、Fe2O3以及煤炭為原料,在熱力學(xué)分析的基礎(chǔ)上,采用X射線衍射、掃描電子顯微鏡-能量散射譜和化學(xué)成

  • 真空條件下含銀鉛銻多元合金中銻的蒸發(fā)行為研究

    根據(jù)真空冶金原理,以選擇性分離銀銻為目的,采用真空蒸餾法研究含銀鉛銻多元合金在真空(5~25 Pa)的條件下蒸餾過(guò)程中Sb的蒸發(fā)行為,考察蒸餾溫度、蒸餾時(shí)間、多元合金中其它組元對(duì)銻蒸發(fā)的影響;并測(cè)定了不同溫度下Sb元

  • 變溫變壓的優(yōu)化組合對(duì)扇貝真空冷凍干燥過(guò)程影響的實(shí)驗(yàn)研究

    為了獲得調(diào)壓調(diào)溫的優(yōu)化組合對(duì)櫛孔扇貝真空冷凍干燥過(guò)程的品質(zhì)、能耗和時(shí)間的綜合影響,在前期研究的基礎(chǔ)上,本文對(duì)兩次變溫和一次變壓的溫度和壓力組合參數(shù)進(jìn)行了五因素四水平的正交組合試驗(yàn)

  • 共濺射法制備的Pt-C薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和電化學(xué)性能的研究

    用共濺射的方法制備了Pt-C薄膜,薄膜由Pt納米粒子和非晶C組成。電子顯微鏡和X射線衍射的測(cè)試結(jié)果顯示Pt納米粒子鑲嵌在非晶C之中。

  • 脈沖激光沉積濺射工藝對(duì)CIGS薄膜成分和結(jié)構(gòu)的影響

    采用脈沖激光沉積濺射法在玻璃襯底上制備Cu-In-Ga預(yù)制膜,后經(jīng)硒化、退火處理,得到CIGS薄膜。采用X射線衍射儀表征了薄膜的晶體結(jié)構(gòu),采用掃描電子顯微鏡和能量散射譜觀察和分析了薄膜的表面形貌和元素成分,采用光電子

  • 鋼板鋅鎂鍍層制備及退火工藝對(duì)鋅鎂合金化的影響

    鋼板表面的鋅鎂合金鍍層可以提高其耐腐蝕性能,而鋅鎂金屬間化合物MgZn2和Mg2Zn11的形成可能是耐腐蝕性能提高的主要因素。

  • Cu薄膜三維生長(zhǎng)的Monte Carlo模擬

    利用蒙特卡羅(Monte Carlo)方法模擬了Cu薄膜在四方基底上的三維生長(zhǎng)過(guò)程。模型中考慮了三個(gè)主要的原子熱運(yùn)動(dòng)過(guò)程:原子沉積、原子擴(kuò)散、原子脫附,各過(guò)程發(fā)生的概率是由各運(yùn)動(dòng)的速率來(lái)決定的。

  • 直流磁控濺射法低溫制備GZO:Ti薄膜及其光電性能研究

    用直流磁控濺射法在玻璃襯底上成功制備出了鈦鎵共摻雜氧化鋅(GZO:Ti)透明導(dǎo)電薄膜,研究了濺射壓強(qiáng)和功率對(duì)GZO:Ti薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和光電性能的影響。

  • 本底真空度和殘余氣體對(duì)集成電路金屬薄膜淀積的影響

    研究表明設(shè)備真空腔體微漏和極微量的殘余氣體對(duì)Al,W 金屬薄膜質(zhì)量影響很大。從設(shè)備的角度提出改善真空度、減少殘余氣體的措施, 這些措施在實(shí)際生產(chǎn)中得到了驗(yàn)證和應(yīng)用, 達(dá)到減少設(shè)備停機(jī) 時(shí)間, 減少產(chǎn)品缺陷, 提高

  • 新法真空鋁熱還原煉鎂的研究

    對(duì)以煅后白云石和煅后菱鎂石為原料,以鋁粉為還原劑的新法煉鎂技術(shù)的熱力學(xué)進(jìn)行了分析,并進(jìn)行了真空熱還原實(shí)驗(yàn)。通過(guò)X射線衍射和掃描電子顯微鏡對(duì)還原渣的主要物相與物質(zhì)形態(tài)進(jìn)行了分析。

  • 氧化鎂真空碳熱還原法煉鎂的工藝研究

    采用物料失重率、金屬M(fèi)g還原率、X射線衍射(XRD)與掃描電子顯微鏡(SEM)等手段與方法,研究了真空條件下氧化鎂碳熱還原溫度、物料造球成型壓力、物料配比、碳熱還原保溫時(shí)間以及催化劑對(duì)氧化鎂碳熱還原法煉鎂工藝的影響

  • 真空蒸餾鉛陽(yáng)極泥制備粗銻的研究

    采用高銻鉛陽(yáng)極泥為原料,對(duì)其真空蒸餾制備粗銻的原理和工藝進(jìn)行探討,理論和實(shí)驗(yàn)均證實(shí)了該方法的可行性。

  • 真空蒸餾法從粗銦中脫除鎘鋅鉈鉛的研究

    利用純度為99.7%粗銦為原料,采用真空蒸餾的方法從粗銦中直接脫除鎘、鋅、鉈、鉛。分別進(jìn)行了蒸餾溫度、蒸餾時(shí)間、投料量等的條件實(shí)驗(yàn)。

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