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高量子效率和波長熱穩定性308nm GaN/AlN量子點紫外LED的制備
本文通過金屬有機物氣相外延方法,在(0001)面藍寶石襯底上成功地生長了以GaN/AlN 量子點代替AlGaN量子阱作為有源區的紫外LED 外延片,并首次制備了電致發光波長為308 nm 的GaN/AlN 量子點紫外LED 器件。
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基于α-Si TFT 的AM-FED 器件的研究與仿真分析
研發人員設計了三極結構的FED 顯示器件,在陰陽極板之間加入了柵極來收集電子。但是三極結構并不能徹底解決驅動電壓高,以及顯示均勻性差的問題。
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冷壁法制備大發射電流密度復合陰極及其性能研究
碳納米管(CNT)又是場致發射陰極的首選材料,其在電子、機械和化學方面具有獨特特性,有較低的逸出功,極高的縱橫比,理論上可實現106 A/cm2 的場致發射電流密度。
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蒸發制備鋅鎂合金鍍層中鋅鎂層的擴散研究
本文在鍍鋅鋼板表面采用真空熱蒸發鍍鎂, 再由快速退火工藝形成鋅鎂合金鍍層。通過X 射線衍射、二次離子質譜和掃描電鏡分析了在退火過程中鋅、鎂層的擴散過程, 并通過鹽霧試驗和電化學測試研究擴散過程對鋅鎂合金鍍層
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陽極氧化電壓對TiO2納米管陣列生長及場發射性能的影響
利用陽極氧化法在純鈦表面制備了規則有序的TiO2 納米管陣列, 應用場致發射掃描電子顯微鏡、X 射線光電子能譜對納米管陣列表面形貌、斷面結構及元素組成進行表征, 并對所得樣片的場發射性能進行測試.
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利用頻域求解器模擬計算諧振腔的諧振特性
以“通過法測品質因數”的冷測實驗為理論基礎, 通過理論分析、數值模擬和冷測實驗證明了利用三維電磁仿真軟件的頻域求解器也能模擬獲得涂覆衰減材料的諧振腔本征模的諧振特性。
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