真空應(yīng)用
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美國進(jìn)口真空爐料筐同瓷條粘連問題的分析解決
本文就美國進(jìn)口真空爐之料筐與瓷條粘連的問題進(jìn)行了探討分析,對可能造成粘連的各種影響因素進(jìn)行了較為詳細(xì)的探討論述。
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基于雙層TiO2復(fù)合ZnO薄膜電池的制備及光電性能的研究
制備致密二氧化鈦薄膜,并結(jié)合水熱法在致密薄膜上制備多孔二氧化鈦薄膜,然后再制備成TiO2/ZnO復(fù)合薄膜,將所制得的復(fù)合薄膜分別作為光陽極制備成染料敏化太陽能電池。
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脈沖疊加直流偏壓電弧離子鍍TiCrNx薄膜的制備與性能研究
采用脈沖疊加直流偏壓電弧離子鍍技術(shù)在硬質(zhì)合金刀具表面制備TiCrNx 薄膜,利用XRD,SEM,多功能材料表面性能測試儀等對TiCrNx 薄膜進(jìn)行表征。
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壓強(qiáng)對等離子體交叉場調(diào)制開關(guān)預(yù)電離工作過程的影響
依據(jù)直流輝光放電理論,利用數(shù)值模擬方法研究了壓強(qiáng)對等離子體交叉場調(diào)制開關(guān)中電子溫度、擊穿電壓、著火時間以及電子密度分布的影響。
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陽極層霍爾等離子體加速器內(nèi)的二維磁流體模擬
利用二維磁流體動力學(xué)模型,對我們自行設(shè)計的圓柱形霍爾等離子體加速器通道內(nèi)的放電等離子體進(jìn)行數(shù)值模擬計算,得到了通道內(nèi)的電子密度、離子密度等分布。
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采用真空磁控反應(yīng)濺射和沸水氧化法制備Al2O3增透膜
在玻璃基片上采用金屬Al 靶在濺射氣體Ar 和反應(yīng)氣體O2 的混合氣體中,真空磁控濺射半透明的Al- Al2O3金屬陶瓷薄膜,再將沉積薄膜的玻璃基片浸入沸騰的去離子水中氧化,制備成陶瓷增透膜。
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PLD法制備NiO薄膜及結(jié)構(gòu)和形貌的研究
利用脈沖激光沉積法(PLD)在Si 襯底上制備NiO 薄膜,利用X 射線衍射(XRD)和原子力顯微鏡(AFM)對所制備薄膜的晶體結(jié)構(gòu)和表面形貌進(jìn)行表征分析。
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真空技術(shù)在食用油精煉過程中的應(yīng)用與節(jié)能
本文主要介紹真空技術(shù)在食用油精煉過程中的合理應(yīng)用方法、使用要求、實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保的措施。
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多用真空吸具設(shè)計
真空吸取是真空技術(shù)在起重、吊運(yùn)、裝夾產(chǎn)品設(shè)備等方面的一種應(yīng)用技術(shù)。研究出一種多用真空吸具。可吸取多個相似型面的產(chǎn)品。
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不斷進(jìn)步中的第三代真空轉(zhuǎn)鼓過濾機(jī)
介紹了成都天保機(jī)械公司生產(chǎn)的第三代真空轉(zhuǎn)鼓過濾機(jī)在6 個方面的改進(jìn), 促進(jìn)了純堿廠的節(jié)能降耗和產(chǎn)品品質(zhì)的提高。
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真空蒸發(fā)制備Sb摻雜CdTe薄膜
采用真空蒸發(fā)技術(shù)在玻璃襯底上制備了Sb摻雜的CdTe薄膜,Sb摻雜使得薄膜表面更加均勻致密,也使薄膜的帶隙寬度有所減小,大大降低了薄膜的電阻率。
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淺析真空自耗電弧爐錠子斷面形狀與電氣控制的關(guān)系
文章結(jié)合某單位現(xiàn)場實(shí)際生產(chǎn)過程中出現(xiàn)的不同形狀的錠子斷面,研究了真空電弧爐錠子斷面形狀與冷卻水溫、坩堝比、穩(wěn)弧電流、電弧長度之間的關(guān)系。
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行波管用陰極鉬支撐筒開裂和變形原因分析
針對陰極組件在組裝過程中出現(xiàn)脫落現(xiàn)象,利用掃描電子顯微鏡(SEM)對呈現(xiàn)出不同程度開裂和變形的鉬支撐筒進(jìn)行了微觀對比分析,找出了鉬支撐筒開裂和變形問題的原因。
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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是借助微波或射頻等使含有薄膜