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真空應(yīng)用

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推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來(lái)源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

基于反鐵磁材料的室溫垂直交換耦合作用和隧道各向異性磁電阻效應(yīng)

研究了垂直磁化的Co/Pt 和面內(nèi)磁化的反鐵磁IrMn 之間的交換耦合作用，以及隧道結(jié)[Pt/Co]/IrMn/AlOx/Pt 的隧道各向異性磁電阻效應(yīng)(TAMR)。
化學(xué)氣相沉積金剛石薄膜的紫外脈沖準(zhǔn)分子激光拋光

目前的熱化學(xué)拋光法、化學(xué)機(jī)械拋光法等接觸式拋光方法存在易使金剛石膜受損并可能引入其它缺陷和雜質(zhì)等缺點(diǎn)，限制了其應(yīng)用范圍。
摻鋁氧化鋅薄膜的低溫發(fā)光特性

使用水熱法在石英襯底上制備了摻鋁氧化鋅薄膜，采用X 射線衍射儀, 掃描電子顯微鏡和低溫光致發(fā)光譜技術(shù)對(duì)薄膜的微結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能進(jìn)行了表征。
基于過濾陰極真空電弧鍍(FCVA)制備類金剛石薄膜(DLC)及其場(chǎng)發(fā)射性能分析

本課題通過FCVA 方法制備DLC 薄膜，利用拉曼光譜、AFM 等方法，分析其內(nèi)部結(jié)構(gòu)，表征其微觀結(jié)構(gòu)形貌，并測(cè)試場(chǎng)發(fā)射性能。
影響磁控濺射制備TiO2 薄膜性能的因素研究

從研究制備條件對(duì)Ti02薄膜的透射率及光學(xué)常數(shù)的影響出發(fā)，利用分光光度計(jì)測(cè)量薄膜的透射率，橢圓偏振光譜儀作為確定薄膜光學(xué)參數(shù)的測(cè)試儀器，研究了不同制備條件對(duì)Ti02薄膜光學(xué)特性的影響。
Ar 離子轟擊CeO2-x(111)薄膜的共振光電發(fā)射研究

利用X-射線光電發(fā)射譜和同步輻射共振光電發(fā)射譜研究了外延生長(zhǎng)的CeO2-x(111)薄膜在Ar 離子轟擊作用下電子態(tài)結(jié)構(gòu)的變化。
離子束輻照Y-Co-Nb 和Y-Co-Ti 金屬多層膜制備復(fù)合金屬玻璃

本研究嘗試采用離子束輻照金屬多層膜制備晶態(tài)-非晶態(tài)、雙相非晶態(tài)復(fù)合材料。
含氫類金剛石薄膜的制備及其光學(xué)常數(shù)研究

利用非平衡磁控濺射技術(shù)制備類金剛石薄膜時(shí)，在放電氣體中引入含-CH3 原子團(tuán)的甲烷氣體，即采用反應(yīng)磁控濺射技術(shù)得到含氫DLC 薄膜。
離子源對(duì)中頻反應(yīng)濺射沉積AlN 薄膜結(jié)構(gòu)和性能的影響

本文采用離子源輔助中頻反應(yīng)磁控濺射技術(shù)沉積AlN 薄膜，通過中頻反應(yīng)磁控濺射解決了因“靶中毒”引起的“打火”和沉積速率大幅度下降的問題;同時(shí)利用離子源輔助沉積，進(jìn)一步提高離化率，從而提高所沉積薄膜的質(zhì)量。
高功率脈沖磁控濺射試驗(yàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)及放電特性研究

高功率脈沖磁控濺射(HPPMS)因其高離化率而得到廣泛關(guān)注，是目前的熱點(diǎn)研究方向，為此我們搭建了試驗(yàn)平臺(tái)并對(duì)HPPMS 的放電特性進(jìn)行了研究。
真空微波解吸載乙醇活性炭的過程分析

設(shè)計(jì)了載乙醇活性炭真空微波解吸的試驗(yàn)流程，采用近似法測(cè)定了載乙醇活性炭真空微波解吸的出口濃度曲線。
摻氮類金剛石薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性研究

采用射頻等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法（PECVD）制備摻氮類金剛石薄膜(DLC:N)，通過原子力顯微鏡,拉曼光譜和橢圓偏振光譜等對(duì)試驗(yàn)樣品進(jìn)行研究。
非晶硅薄膜晶化過程的研究

多晶硅薄膜具有較高的電遷移率和穩(wěn)定的光電性能，是制備微電子器件、薄膜晶體管、大面積平板液晶顯示的優(yōu)質(zhì)材料。
EI-5Z電子束鍍膜機(jī)膜厚控制的改善

分析了EI- 5Z 型電子束鍍膜機(jī)膜厚控制的特點(diǎn)。
離軸濺射法生長(zhǎng)的BiFeO3 外延薄膜及其交換偏置效應(yīng)

多鐵性BiFeO3 薄膜吸引了人們廣泛的關(guān)注，并且有望應(yīng)用于磁電器件、自旋電子器件和微波器件等領(lǐng)域
一種基于溶膠凝膠法的低溫制備氧化銦鎵鋅半導(dǎo)體薄膜的方法

非晶氧化物半導(dǎo)體因具有遷移率高、可見光透明性好、表面平整和可以室溫制備等優(yōu)良性能，作為非晶硅的替代材料受到廣泛的關(guān)注。
高品質(zhì)金剛石厚膜的微波等離子體CVD沉積技術(shù)

金剛石膜擁有許多優(yōu)異的性能。在制備金剛石厚膜的各種方法之中，高功率微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)法因其產(chǎn)生的等離子體密度高，同時(shí)金剛石膜沉積過程的可控性和潔凈性好，因而一直是制備高品質(zhì)金剛石厚膜的首
電極調(diào)制高分子阻變存貯器阻變機(jī)制

基于高分子的阻變存儲(chǔ)器子在高密度存儲(chǔ)、柔性電子器件等方面有可能得到應(yīng)用
H等離子體誘導(dǎo)Graphene/CNTs復(fù)合結(jié)構(gòu)的制備及其場(chǎng)發(fā)射性能

石墨烯具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性、很高的機(jī)械強(qiáng)度、超大的比表面積和比硅要大得多的載流子遷移率等特性
RH真空爐脫碳過程噴濺的控制

分析了RH真空脫碳原理和產(chǎn)生噴濺的主要原因