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真空技術(shù)網(wǎng) - 專業(yè)研究真空、真空技術(shù)及真空泵等真空設(shè)備的真空網(wǎng)。

推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

  • 山楂漿物性參數(shù)的測定對凍干工藝參數(shù)的優(yōu)化

    山楂漿共晶點(diǎn)和共熔點(diǎn)溫度以及含水率等物性參數(shù)的測定對于山楂漿凍干工藝參數(shù)的優(yōu)化有著重要的意義。

  • 真空吸盤的真空系統(tǒng)選用及吸盤提升力的計(jì)算

    講述了真空吸盤的真空系統(tǒng)選用要點(diǎn)以及真空吸盤提升力的計(jì)算。

  • 永磁機(jī)構(gòu)斷路器的工作原理

    介紹了真空斷路器的發(fā)展及永磁機(jī)構(gòu)型斷路器的主要結(jié)構(gòu)、性能,著重分析了永磁操動(dòng)機(jī)構(gòu)的控制系統(tǒng)原理,將永磁機(jī)構(gòu)與真空斷路器進(jìn)行完美匹配,提高了斷路器的可靠性及壽命。

  • 無柵網(wǎng)離子源的工作原理

    無柵網(wǎng)離子源的工作原理類似于磁控濺射,陽極偏壓在磁力線束縛電子的區(qū)域產(chǎn)生高密度等離子體(high ne ionization region),離子的飛行軌跡不受磁場的影響,在偏壓VDC作用下加速向陰極飛行,在開口處形成能量為VDC離子束,

  • 電子回旋共振(ECR)離子源的工作原理

    ECR離子源微波能量通過微波輸入窗(由陶瓷或石英制成) 經(jīng)波導(dǎo)或天線耦合進(jìn)入放電室, 在窗上表面的永磁系統(tǒng)產(chǎn)生的高強(qiáng)磁場作用下, 放電室內(nèi)的氣體分子的外層電子做回旋運(yùn)動(dòng)。

  • RF-CCP(電容耦合) 和RF-ICP(感應(yīng)耦合)離子源的結(jié)構(gòu)原理

    電容耦合方式是由接地的放電室(由復(fù)合系數(shù)很小的材料如石英做成)和引入的驅(qū)動(dòng)電極作為耦合元件，射頻ICP源的發(fā)射天線繞在電絕緣的石英放電室外邊,當(dāng)通過匹配網(wǎng)絡(luò)將射頻功率加到線圈上時(shí),線圈中就有射頻電流通過,于是

  • Kaufman低能寬束離子源的結(jié)構(gòu)原理

    Kaufman離子源是由陰極(Cathode)、陽極(Anode)、柵極(Grids)、放電室圓筒構(gòu)成氣體放電室(Discharge Chamber),柵極構(gòu)成離子光學(xué)系統(tǒng)。

  • 磁控濺射法鍍制紅外低輻射膜的光熱性能

    本文對薄膜的節(jié)能原理、制備方法、膜層結(jié)構(gòu)及其光學(xué)、熱學(xué)性能進(jìn)行了綜述, 較詳細(xì)地論述了目前低輻射薄膜研究中較為突出的金屬銀氧化和介質(zhì)層增透的問題。

  • 紅外低輻射膜的典型膜層結(jié)構(gòu)

    低輻射薄膜的中間金屬層起著反射紅外線的重要作用,一般選用銀,因它在對紅外光具有較高反射率的同時(shí),對可見光還具有較高的透射率,按銀膜的數(shù)量可分為單銀膜 、雙銀膜和多銀膜,每層銀膜厚度一般在10~18nm之間。

  • 紅外低輻射薄膜的節(jié)能原理

    膜層的電導(dǎo)率σ值越大, 它對入射光的反射率越大; 電磁輻射的頻率υ越小(或波長越大) , 膜材料的反射率越大。所以, 導(dǎo)電薄膜對波長較大的紅外線具有高反射性。

  • 射頻識(shí)別系統(tǒng)在凍干工藝的應(yīng)用

    按照凍干工藝的需要,在射頻卡中寫入物料的種類、形狀、分切方式、凍干層厚度、面積、加熱方式、擱板層數(shù)等相關(guān)參數(shù),再把射頻卡貼在需要凍干的物料上。當(dāng)貼有射頻卡的物料進(jìn)入安裝在凍干機(jī)上的讀寫器的工作范圍,讀寫

  • 射頻識(shí)別系統(tǒng)RFID的工作原理

    射頻識(shí)別( Radio Frequency Identification) 是一種非接觸的自動(dòng)識(shí)別技術(shù)。射頻識(shí)別系統(tǒng)包括讀寫器、電子標(biāo)簽(射頻卡)和控制單元三部分。

  • ZnO薄膜的器件應(yīng)用

    ZnO薄膜的主要應(yīng)用有用作光伏電池的電極和窗口材料、在發(fā)光器件的應(yīng)用、ZnO基紫外探測器、作為緩沖層/襯底、壓敏器件、氣敏傳感器、壓電器件。

  • ZnO薄膜的主要性質(zhì)

    本文講述了ZnO薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、光學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等性質(zhì)。

  • 化學(xué)法制備ZnO薄膜的方法

    PECVD法、SSCVD法、MOCVD法、噴霧熱解法(Spray Pyrolysis)、溶膠- 凝膠法是目前主要的一些化學(xué)制備ZnO薄膜的方法。

  • 物理法制備ZnO薄膜的方法

    物理法制備ZnO薄膜的的主要方法有濺射法(Sputtering)、脈沖激光沉積法(PLD)、分子束外延法(MBE)、原子層外延生長法(ALE)等。

  • 寬禁帶半導(dǎo)體ZnO薄膜的制備工藝

    ZnO薄膜的制備方法有多種,大致分為物理法和化學(xué)法,可以滿足不同的需求，由于化學(xué)穩(wěn)定性好,良好的機(jī)電耦合性,工藝簡單,這使得ZnO 薄膜在近年來受到越來越多的重視,成為化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域中的一個(gè)研究熱點(diǎn),基于ZnO的器

  • 熱處理和摻雜對TiO2薄膜折射率的影響

    隨著熱處理溫度的升高,薄膜折射率也逐漸增大。850℃熱處理后的氧化鈦薄膜折射率最高為2.34。適量摻雜CeO2會(huì)提高薄膜的折射率,過量摻雜CeO2反而會(huì)降低折射率。

  • 電子束蒸發(fā)法工藝對TiO2薄膜折射率的影響

    基片溫度、真空度、沉積速率、其他工藝條件等都對電子束蒸發(fā)法工藝對TiO2薄膜折射率的影響。

  • 有機(jī)玻璃蒸發(fā)鍍鋁的實(shí)驗(yàn)結(jié)果及鋁膜分析

    增加鉻過渡層的樣品, 鋁膜結(jié)合的非常牢固, 附著力得到很大的提高。 采用電子束蒸發(fā)技術(shù), 在使用合適的工藝參數(shù)下, 可以在有機(jī)玻璃表面制備附著力好、耐腐蝕的高反射鋁膜。

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