真空應(yīng)用
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平直型真空吸盤的工作原理與實(shí)際應(yīng)用
介紹了平直型真空吸盤的工作原理、技術(shù)參數(shù)等,并指出平直型真空吸盤的選型要求及其使用注意事項(xiàng),利于推廣應(yīng)用。
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真空吸盤吸持物體的動力學(xué)分析
真空吸盤的動態(tài)設(shè)計(jì)使吸盤的工作更安全可靠。在對吸盤兩個典型工位的受力進(jìn)行靜態(tài)和動態(tài)分析和比較的基礎(chǔ)上,為真空吸盤的設(shè)計(jì)應(yīng)用提供更科學(xué)、更安全的設(shè)計(jì)依據(jù)。
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泵送混凝土施工方法
真空輸送工藝的改進(jìn)與革新,例如混凝土超遠(yuǎn)距離泵送施工工藝,技術(shù)上是可行的,而從經(jīng)濟(jì)上分析,能降低能耗,減少人工與機(jī)械投入,從而節(jié)約成本,提高功率。
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退火溫度對氧化鎳(NiO)薄膜的影響
隨著退火溫度的升高,薄膜的晶粒尺寸增大,晶粒大小約10~60nm;500℃退火條件下制得的NiO 薄膜組成和結(jié)構(gòu)較好,具有良好的電化學(xué)循環(huán)穩(wěn)定性,有望成為高性能的全固態(tài)薄膜鋰電池陽極材料。
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反應(yīng)濺射AlN 薄膜的動態(tài)特性
反應(yīng)磁控濺射方法制備AlN薄膜是一種很普遍的方法,為了增強(qiáng)對該過程的理解,建立了反應(yīng)濺射過程的動態(tài)模型.應(yīng)用該模型分析了當(dāng)?shù)髁吭黾踊驕p少時,過程中的各個參數(shù)隨時間變化的瞬態(tài)行為.
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二氧化硅在真空低價法制備鋁過程中的歧化行為研究
引入“物質(zhì)吉布斯自由能函數(shù)法”討論在低價氟化法制備鋁過程中,二氧化硅在不同壓力和溫度下生成低價氧化硅及其分解的熱力學(xué)條件并進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。
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氟化非晶碳膜的微結(jié)構(gòu)分析
利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)法,在不同的溫度下制備了氟化非晶碳膜.采用原子力顯微鏡(AFM)、X 射線光電子能譜(XPS)和傅里葉紅外吸收光譜(FTIR)等儀器對薄膜微結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征.
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氧化銦錫(ITO)防靜電薄膜的性能測試分析
研究了輻照試驗(yàn)前后ITO 樣品的光電性能變化,并用XPS和AFM對其組分及表面形貌變化進(jìn)行了分析。結(jié)果表明,輻照后ITO薄膜的光學(xué)透過率變化不大;表面電阻有一定增加,但幅度不大,完全可以滿足防靜電的要求。
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真空管的常見運(yùn)行維護(hù)
真空管的常見運(yùn)行維護(hù)包括真空管截流過電壓、重燃過電壓及其防護(hù);嚴(yán)格控制真空管的觸頭開、合速度;嚴(yán)格控制真空管的觸頭行程;真空管的檢查等方面內(nèi)容。
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真空管的結(jié)構(gòu)及滅弧原理
真空管大致可分為斷路器用真空管、負(fù)荷開關(guān)用真空、接觸器用真空管。其結(jié)構(gòu)基本上都是由絕緣外殼,金屬屏蔽罩、波紋管、動靜觸頭、動靜觸桿以及其他零部件組成。
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真空管的常見分類及結(jié)構(gòu)演變
真空管主要分為直熱式真空管和旁熱式真空管。按照它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)又可分為二極管、三極管等,按照容器結(jié)構(gòu)分為球形管、GT管、花生管、拇指管等。
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真空管的基本性質(zhì)介紹
真空管共由4種基本構(gòu)件組成:極對燈絲(Filament) (加熱用)、陰極(Cathode)、柵極(Grid)和陽極(Anode)。當(dāng)極對燈絲連上電壓對陰極加熱,激發(fā)陰極電子通過柵極打在陽極上。
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