真空應(yīng)用
推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝
電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。
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基于DIABEAM法的電子束能量密度測試分析
為了充分發(fā)揮電子束焊接技術(shù)在航空航天領(lǐng)域的作用,對反映束流品質(zhì)的關(guān)鍵因素—電子束能量密度開展了研究;基于法拉第傳感原理,通過DIABEAM測試法對真空電子束焊機電子束能量密度分布進行測試分析。
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Fe/Si多層膜經(jīng)快速熱退火合成β-FeSi2薄膜的研究
采用磁控濺射儀在高阻Si(100)襯底上沉積了[Fe(0.5nm)/Si(1.6nm)]120和[Fe(1nm)/Si(3.2nm)]60多層膜,并在Ar氣氣氛下進行了1000℃,10s 的快速熱退火。
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Al-C-N非晶薄膜結(jié)構(gòu)及導(dǎo)電性研究
為了揭示Al-C-N 非晶薄膜的結(jié)構(gòu)、導(dǎo)電性以及它們之間的關(guān)系,本文采用非平衡磁控濺射沉積技術(shù)在Si (100) 基體上沉積得到了不同Al含量的Al-C-N薄膜。
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關(guān)于我國發(fā)展真空管道高速交通的思考
論述了我國發(fā)展真空管道高速交通的必要性和可行性. 就管道壓強、遮擋系數(shù)及其關(guān)鍵技術(shù)等基本問題展開討論. 重點論述我國發(fā)展真空管道高速交通的戰(zhàn)略方針和技術(shù)方案.
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自支撐金剛石厚膜脫離基體前后的殘余應(yīng)力研究
運用ANSYS軟件建立了有限元模型，對直流等離子體噴射制備的自支撐金剛石厚膜在脫離基體前、后的殘余應(yīng)力分別進行了數(shù)值模擬。
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小圓平面靶磁控濺射鍍膜均勻性研究
從圓平面靶磁控濺射的原理出發(fā)，針對圓形平面靶面積小于基片面積的特點進行分析，建立膜厚分布的數(shù)學(xué)模型，并利用計算機進行模擬計算，目的在于探尋平面靶材面積小于基片面積時影響膜厚均勻性的因素
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大面積VHF-PECVD反應(yīng)室噴淋式平板電極間電場和流場數(shù)值模擬
以大面積噴淋式平板電極甚高頻等離子體增強化學(xué)氣相沉積(VHF-PECVD)反應(yīng)室為研究對象,利用FlexPDE和CFD-ACE+ 商業(yè)軟件,對反應(yīng)室電極間的電場和流場分布進行了數(shù)值模擬
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陶瓷真空滅弧室產(chǎn)品性能檢測系統(tǒng)研制
針對陶瓷真空滅弧室的產(chǎn)品性能檢測要求，研制了一套基于IPC+PLC+智能儀表的計算機自動產(chǎn)品性能檢測系統(tǒng).
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等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)是借助微波或射頻等使含有薄膜