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真空應(yīng)用

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推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

回旋速調(diào)管注波互作用理論的發(fā)展及評述

回旋速調(diào)管是一類具有重要應(yīng)用前景的高功率、高效率和高增益相干毫米波源。
測量行波管電子注的減速電場能量分析器的研究

為測量行波管電子注的能量分布, 本文設(shè)計和驗證了一個減速電場能量分析器。
兩級式高壓電源變換器的設(shè)計與分析

針對小型化行波管對高壓電源的特殊應(yīng)用要求，提出了兩級式Boos-t半橋諧振倍壓高壓變換器結(jié)構(gòu)。
硒摻雜對NbS2形貌的影響及其摩擦學(xué)性能研究

通過固相合成NbS2及Se摻雜NbS2，采用X 射線衍射、掃描電鏡、能量色散譜分別分析了樣品中的相成分、微觀形貌和元素成分。
化學(xué)水浴法制備In2S3薄膜的組織和性能研究

采用化學(xué)水浴法在InCl3.4H2O 和CH3CSNH2 的酸性混合溶液體系中制備In2S3薄膜，并研究不同工藝下制備In2S3薄膜的晶相結(jié)構(gòu)、表面形貌及光學(xué)性能。
W波段寬擴展互作用速調(diào)管諧振系統(tǒng)研究

針對在高頻率、高效率、低磁場以及低電壓工作方面具有自身獨特優(yōu)勢的擴展互作用速調(diào)管(EIK)諧振系統(tǒng)進行了研究, 主要目的是在保持其已有優(yōu)勢的情況下增加帶寬。
ICP-CVD制備a-CHON及光學(xué)性能分析

采用外置電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積法, 以高純CH4/N2/ CO2/H2作為反應(yīng)氣體, 制備出非晶的a-CHON薄膜。研究了放電功率對薄膜沉積速率、表面形貌及光學(xué)性能的影響。
雙波段3.0～5. 0μm 和7. 0～10. 0μm寬帶增透膜的研究

為了增加紅外窗口的透射率，研制了硫化鋅基底上的雙波段寬帶增透膜。膜系設(shè)計采用硫化鋅和氟化釔分別作為高、低折射率材料的多層膜結(jié)構(gòu)。
基于Lockheed模型的變密度多層絕熱理論分析與實驗

采用Lockheed模型，對變密度多層絕熱的傳熱過程進行了理論分析，提出了最佳層密度的概念，重點討論了層密度與邊界溫度關(guān)系、層密度區(qū)域劃分、層密度配置和最佳層密度下熱流密度的變化。
高低溫環(huán)境下諧波減速器剛度測試技術(shù)研究

諧波減速器處于高低溫環(huán)境中，使用電機帶動滑輪繩組實現(xiàn)諧波減速器輸出端的彎矩或扭矩加載，使用激光干涉儀測量輸出端受彎矩或扭矩后的偏轉(zhuǎn)角。
多孔陽極氧化鋁有序陣列表面潤濕機制的研究

基于二次陽極氧化法制備的多孔陽極氧化鋁(AAO)有序陣列薄膜，研究了二次蒸餾水和1，2－二氯乙烷兩種液體在該結(jié)構(gòu)化、化學(xué)異質(zhì)表面的潤濕特性。
多孔Cr-TiO2/P3HT異質(zhì)結(jié)薄膜的制備及光伏特性研究

采用溶膠-凝膠法，利用聚乙二醇2000(PEG 2000)，成制備了多孔Cr摻雜TiO2(Cr-TiO2)納米薄膜，并實現(xiàn)了PEG 2000 含量對Cr－TiO2薄膜多孔結(jié)構(gòu)及其光透射特性的有效調(diào)制。
電子輻照介質(zhì)表面電荷分布測量研究

在軌航天器與空間等離子體相互作用，可引起靜電荷在衛(wèi)星表面積累，產(chǎn)生靜電放電，影響航天器的安全運行。
離子推力器有效透明度的地面測量方法研究

在離子推力器研制過程中，柵極組件的束流引出效率對于離子推力器的性能評估具有重要意義，通常采用測量相關(guān)電流數(shù)據(jù)求得有效透明度的方法來間接反應(yīng)。
離子推力器電子反流的理論預(yù)測與試驗測量

對離子推力器來說，加速柵的作用是提供一個負(fù)的電勢壁壘，阻止下游的電子反流到放電室內(nèi)部。反流電子流不僅會導(dǎo)致推力器能量損失，嚴(yán)重的甚至?xí)䦟?dǎo)致推力器無法工作。
形核密度對金剛石薄膜表面形貌及其質(zhì)量的影響

在2kW 微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD) 裝置中，采用CH4和H2作氣源，在最佳生長工藝參數(shù)條件下，可重復(fù)制備出高質(zhì)量的金剛石薄膜。
光學(xué)級CVD金剛石膜的研究進展與應(yīng)用

首先介紹了光學(xué)級CVD金剛石厚膜和薄膜的制備，隨后指出了國內(nèi)外光學(xué)級CVD金剛石膜的研究進展，最后進行了光學(xué)級CVD金剛石膜的前景展望。
空氣中微波擊穿電場的計算

本文采用擴散控制的微波擊穿模型, 計算了低氣壓空氣的微波擊穿電場。為獲得簡單而直觀的計算方法, 利用了直流場中的氣體放電基本參量, 給出了微波擊穿電場的計算過程。
使用ANSYS接觸單元模擬研究行波管收集極的接觸熱阻

收集極是行波管的主要發(fā)熱部件, 本文利用ANSYS對某行波管的四級降壓收集極進行了熱分析, 其中利用了ANSYS中的接觸單元CONTA172和TARGE169來模擬收集極各零件間的接觸熱阻。
溝道長度及源/漏區(qū)摻雜濃度對MOS-CNTFET輸運特性的影響

碳納米管場效應(yīng)晶體管電子輸運性質(zhì)是其結(jié)構(gòu)參量(縱向結(jié)構(gòu)參量: 如CNT的直徑、柵介質(zhì)層厚度、介質(zhì)介電常數(shù)等; 橫向結(jié)構(gòu)參量: 如溝道長度、源/漏區(qū)摻雜濃度等)的復(fù)雜函數(shù)。