真空應(yīng)用
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不同參數(shù)設(shè)置對南瓜片微波真空干燥特性的影響
本文從微波強(qiáng)度、腔體絕對壓力及南瓜片厚度等三個方面分析了不同參數(shù)的設(shè)置對南瓜片微波真空干燥特性的影響。
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南瓜片微波真空干燥特性
本文以新鮮南瓜為原料,研究微波強(qiáng)度、腔體絕對壓力和南瓜片厚度對南瓜片微波真空干燥特性的影響,并建立其數(shù)學(xué)模型,旨在闡明南瓜片微波真空干燥規(guī)律,同時為開發(fā)新型即食南瓜片產(chǎn)品提供科學(xué)依據(jù)和生產(chǎn)實(shí)踐指導(dǎo)。
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真空管道垃圾收集系統(tǒng)的特點(diǎn)及應(yīng)用
真空管道垃圾收集系統(tǒng)在國外應(yīng)用十分廣泛且技術(shù)已經(jīng)相對成熟,是一種高效、衛(wèi)生的垃圾收集方法。本文講述了真空管道垃圾收集系統(tǒng)的特點(diǎn)及應(yīng)用。
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中國真空包裝機(jī)市場前景廣大,5大食品包裝機(jī)械主導(dǎo)市場
未來的十年內(nèi)為了適應(yīng)我國食品包裝行業(yè)的快速發(fā)展需要,將有真空包裝機(jī)等5大食品包裝機(jī)械主導(dǎo)市場。
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真空包裝機(jī)發(fā)展勢不可擋行業(yè)迎來回暖
我國真空包裝機(jī)械公司大概活躍的學(xué)習(xí)先進(jìn)技能跟科研成果,把年代的觀念等同時寫入到新式真空包裝機(jī)的研制出產(chǎn)中來,才能實(shí)現(xiàn)其突破性的發(fā)展。
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CO2對MPCVD制備金剛石膜的影響研究
應(yīng)用微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)技術(shù),以CH4/H2/N2為主要?dú)庠矗ㄟ^添加CO2輔助氣體,并與未添加CO2輔助氣體進(jìn)行對比,進(jìn)行了金剛石膜沉積。
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用于低溫存儲系統(tǒng)的多層絕熱性能分析
采用修正的Lockheed模型計(jì)算不同的絕熱層厚度、層密度對總漏熱的影響效果,研究三區(qū)域?qū)用芏确植茧S各參數(shù)的變化情況,最后提出復(fù)合多層絕熱的概念,并進(jìn)行了相關(guān)對比計(jì)算,從理論上驗(yàn)證了采用此種方法的可行性,實(shí)驗(yàn)
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圖像傳感器單粒子效應(yīng)脈沖激光實(shí)驗(yàn)研究
分析了器件單粒子效應(yīng)的敏感性,獲得了器件發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)和鎖定的脈沖激光能量閾值及器件鎖定電流大小。
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濺射靶材對TiAlN涂層形貌、結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能的影響
本文通過設(shè)計(jì)兩種靶材,分別是粉末冶金方法和真空熔煉方法制備的原子比為Ti50Al50的合金靶材,在同一磁控濺射設(shè)備及同一濺射工藝條件下進(jìn)行鍍膜實(shí)驗(yàn),研究不同組織結(jié)構(gòu)的Ti50Al50合金靶材對TiAlN涂層的組織結(jié)構(gòu)和性
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分子相互作用體積模型在真空蒸餾分離Pb-Bi二元合金中的應(yīng)用
采用牛頓迭代方法同時結(jié)合Pb-Bi二元合金體系的無限稀活度系數(shù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)γ∞計(jì)算對勢能相互作用參數(shù)Bij,Bji; 然后使用參數(shù)Bij,Bji計(jì)算Pb-Bi二元合金體系的活度系數(shù)γ,并與實(shí)驗(yàn)值進(jìn)行了比較分析; 利用活度系數(shù)γ 進(jìn)
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多弧離子鍍TiN薄膜顏色性能的研究
本文旨在系統(tǒng)研究大顆粒、氮?dú)饬髁颗c靶電流對膜層色澤的影響及其變化規(guī)律,為采用多弧離子鍍制備氮化鈦仿金裝飾膜及優(yōu)化膜層色澤提供依據(jù)。
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陰極弧離子鍍制備AlCrN涂層的高溫摩擦磨損行為
本文采用陰極弧離子鍍法在TiC金屬陶瓷刀具表面制備了AlCrN涂層,分析其在900℃高溫下摩擦磨損行為,為超大型齒圈高效切削加工提供技術(shù)參考。
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退火溫度對酸性條件下水熱合成的YVO4熒光粉的微結(jié)構(gòu)及發(fā)光特性的影響
本論文以退火的方式試圖除去YVO4顆粒上的吸附物,并研究了不同退火溫度下樣品的微結(jié)構(gòu)及光茁發(fā)光特性的變化情況。
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真空絕熱板使用壽命數(shù)值分析及預(yù)測
本文采用數(shù)值分析和實(shí)驗(yàn)研究的方法對真空絕熱板標(biāo)況下的使用壽命進(jìn)行了預(yù)測,并提出了延長真空絕熱板使用壽命的措施。
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超納米金剛石薄膜的性能和制備及應(yīng)用
文章對超納米金剛石與其他CVD 金剛石的性質(zhì)進(jìn)行了對比,對超納米金剛石的生長機(jī)理進(jìn)行了簡要概述,著重分析了各種化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備超納米金剛石的基本原理、特點(diǎn)及取得的研究成果,最后詳細(xì)討論了超納米金剛石的
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Se離子束輔助沉積CIS過程的數(shù)值分析
通過研究離子束輔助沉積與傳統(tǒng)氣相原子沉積生成CIS 薄膜的過程,從擴(kuò)散均勻性角度分析,對離子束的注入深度效應(yīng)進(jìn)行數(shù)值計(jì)算。
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