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真空技術(shù)應(yīng)用

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推薦真空熱水鍋爐的構(gòu)造特點

真空熱水鍋爐的結(jié)構(gòu)是由燃燒室(火爐)、水管、負壓蒸汽室、熱交換器、熱媒介水等組成的。本文以雙回路真空熱水鍋爐為例講述真空熱水鍋爐的構(gòu)造特點。

離子推力器電子反流的理論預(yù)測與試驗測量

對離子推力器來說，加速柵的作用是提供一個負的電勢壁壘，阻止下游的電子反流到放電室內(nèi)部。反流電子流不僅會導(dǎo)致推力器能量損失，嚴重的甚至?xí)䦟?dǎo)致推力器無法工作。
空氣中微波擊穿電場的計算

本文采用擴散控制的微波擊穿模型, 計算了低氣壓空氣的微波擊穿電場。為獲得簡單而直觀的計算方法, 利用了直流場中的氣體放電基本參量, 給出了微波擊穿電場的計算過程。
使用ANSYS接觸單元模擬研究行波管收集極的接觸熱阻

收集極是行波管的主要發(fā)熱部件, 本文利用ANSYS對某行波管的四級降壓收集極進行了熱分析, 其中利用了ANSYS中的接觸單元CONTA172和TARGE169來模擬收集極各零件間的接觸熱阻。
溝道長度及源/漏區(qū)摻雜濃度對MOS-CNTFET輸運特性的影響

碳納米管場效應(yīng)晶體管電子輸運性質(zhì)是其結(jié)構(gòu)參量(縱向結(jié)構(gòu)參量: 如CNT的直徑、柵介質(zhì)層厚度、介質(zhì)介電常數(shù)等; 橫向結(jié)構(gòu)參量: 如溝道長度、源/漏區(qū)摻雜濃度等)的復(fù)雜函數(shù)。
PDP子場數(shù)據(jù)自適應(yīng)優(yōu)化低功耗尋址方法

為降低等離子體顯示器(PDP)的尋址功耗, 在分析PDP尋址功耗和圖像信息在各子場分布特征的基礎(chǔ)上, 根據(jù)人眼視覺在不同背景亮度下對圖像信息感知能力不同的特點, 提出了子場數(shù)據(jù)自適應(yīng)優(yōu)化低功耗尋址方法。
新型反射腔在多頻相對論返波振蕩器中的粒子模擬研究

設(shè)計了兩類新型同軸反射腔并成功地應(yīng)用于多頻高功率微波輸出。反射腔采用非對稱的同軸結(jié)構(gòu), 置于同軸相對論返波振蕩器( CRBWO) 慢波系統(tǒng)的前端。
金屬離子源磁過濾器磁場位形的設(shè)計與實驗研究

根據(jù)磁過濾器對磁場的要求, 利用水冷銅管產(chǎn)生的反向磁場, 設(shè)計一個軸向磁場較弱的磁鏡式磁過濾器。
SOI高g值壓阻式加速度傳感器與工藝實現(xiàn)

基于SOI技術(shù), 利用電感耦合等離子體硅深加工，設(shè)計制備了一種新型平面內(nèi)振動高g值壓阻式加速度計。
用于石油鉆井磨料射流噴嘴的研制

采用模壓及真空燒結(jié)試制了一種磨料射流噴嘴，用掃描電鏡觀察其組織形貌，并進行硬度和密度的測量。
人工干預(yù)二次形核研究

采用直流熱陰極PCVD技術(shù)，在CH4- H2 氣氛常規(guī)制備微米晶金剛石膜的參數(shù)條件下，通過人工干預(yù)實現(xiàn)二次形核，制備納米晶金剛石膜。
熱解一維鏈狀銅絡(luò)合物單晶制備納米氧化銅

采用X- 射線衍射（XRD）、熱重（TG）分析和透射電子顯微鏡（TEM）等手段表征了銅絡(luò)合物單晶在900℃下焙燒后的產(chǎn)物。
高分子涂層制備技術(shù)研究進展

本文綜述了高分子涂層的制備，發(fā)現(xiàn)其制備方法具有多樣性，但多在大氣環(huán)境中進行，存在高溫分解、涂層內(nèi)應(yīng)力大和襯底結(jié)合力差等問題。
低壓壓印制備硅點陣結(jié)構(gòu)的工藝研究

本文介紹了一種以低壓壓印結(jié)合反應(yīng)離子刻蝕制備硅點陣的方法，即利用PDMS模板通過壓印復(fù)制獲得PMMA掩模結(jié)構(gòu)，用反應(yīng)離子刻蝕在硅片表面制得高度有序的硅納米點陣結(jié)構(gòu)。
基于PDMS微結(jié)構(gòu)模板轉(zhuǎn)印技術(shù)的研究

基于界面間粘附能理論，結(jié)合有限元模擬研究聚二甲基硅氧烷(PDMS)微結(jié)構(gòu)模板實現(xiàn)聚合物SU-8光刻膠的圖形轉(zhuǎn)移復(fù)制的轉(zhuǎn)印機理，分析了微結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印過程中基底表面能、壓力和SU-8膠溶劑對圖形轉(zhuǎn)印的影響。
冷噴涂Cu-Cu2O涂層微觀結(jié)構(gòu)與沉積特性

本實驗通過冷噴涂技術(shù)制備了Cu2O的質(zhì)量含量分別為0%，10%，20%和30%的四種Cu-Cu2O涂層。
磁耦合定向耦合器仿真設(shè)計

在分析波導(dǎo)中場模式基礎(chǔ)上，通過仿真計算和優(yōu)化，得出影響定向耦合器磁耦合的主要因素，并在此基礎(chǔ)上提出利用磁環(huán)耦合設(shè)計雙耦合度定向耦合器和可變耦合度的定向耦合器的設(shè)想。
多注行波管PPM聚焦磁場設(shè)計方法研究

對多注行波管周期永磁(PPM)聚焦結(jié)構(gòu)中橫向磁場的分布規(guī)律進行了研究, 模擬分析了多注PPM聚焦系統(tǒng)中橫向場的旋轉(zhuǎn)對稱特性, 并對該系統(tǒng)中的電子流通率進行了分析。
不同壓強時等離子體宏觀不穩(wěn)定性的數(shù)值模擬

為了數(shù)值模擬不同等離子體壓強和不同角向模數(shù)時，磁流體不穩(wěn)定性的演化規(guī)律，本文通過傅里葉變換，將理想磁流體方程組轉(zhuǎn)化為兩個一階微分方程。
雙微通道板紫外像增強器工作特性研究

為了研究雙微通道板(MCP)對紫外像增強器輻射增益的影響,本文利用南京理工大學(xué)制造的寬光譜像管增益測試儀,對單MCP和雙MCP紫外像增強器的輻射增益分別進行了測試分析。
NbSe2固相合成中的微量氧對形貌的誘導(dǎo)

通過對固相合成NbSe2過程中特殊形貌的產(chǎn)生, 嘗試提出微量氧誘導(dǎo)機制。